STDCQR1-13M

STDCQR1-13M

номер части
STDCQR1-13M
Категории продукта
Кристаллы
производитель
NDK
Тип
CRYSTAL 13.0000MHZ 8PF SMD
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Статус ROHS
Yes
цена
USD $0.3120
техническая спецификация
количество
запрос цен
в наличии: 20000
самый маленький : 3000
несколько : 1
количество
Единая цена
цена
1
$0.5600
$0.5600
10
$0.4960
$4.9600
50
$0.4640
$23.2000
100
$0.4080
$40.8000
500
$0.3840
$192.0000
1000
$0.3200
$320.0000
3000
$0.3120
$936.0000
6000
$0.2960
$1,776.0000
15000
$0.2880
$4,320.0000
Похожие модели
STD155N3LH6
意法-ST
N沟道30 V、0.0024 Ohm、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，DPAK封装
STD15N60M2-EP
意法-ST
N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
STD3LN80K5
意法-ST
N沟道800 V、2.75 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装
STD2805
意法-ST
Low voltage fast-switching PNP power transistor
STD130N4F6AG
意法-ST
Automotive-grade N-channel 40 V, 3.0 mOhm typ., 80 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
STD40NF03L
意法-ST
N-CHANNEL 30V - 0.0090 OHM - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
STD20P3H6AG
意法-ST
Automotive-grade P-channel -30 V, 33 mOhm typ., -20 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
STD40P8F6AG
意法-ST
汽车级P沟道-80 V、18.5 mOhm典型值、-40 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装
STD120N4LF6
意法-ST
N沟道40 V、3.1 mOhm、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，DPAK封装
STD13NM60N
意法-ST
N沟道600 V、0.28 Ohm典型值、11 A MDmesh(TM) II功率MOSFET，DPAK封装
STD12NF06L-1
意法-ST
N沟道60 V、0.08 Ohm典型值、12 A STripFET II功率MOSFET，IPAK封装
STD80N10F7
意法-ST
N沟道100 V、0.0085 Ohm典型值、70 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装
STD170N4F7AG
意法-ST
汽车级N沟道40 V、2.2 mOhm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装
STD10NM60ND
意法-ST
N-channel 600 V, 570 mOhm typ., 8 A, FDmesh II Power MOSFET in a DPAK package
STD11NM60N
意法-ST
N-channel 600 V, 0.37 Ohm, 10 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in a DPAK package
STD1NK80ZT4
意法-ST
N-channel 800 V, 13 Ohm typ., 1 A SuperMESH Power MOSFET in a DPAK package
STD8NF25
意法-ST
N沟道250 V、318 mOhm典型值、8 A STripFET(TM) II功率MOSFET，DPAK封装
STD3PK50Z
意法-ST
P-channel 500 V, 3 Ohm, 2.8 A DPAK, Zener-protected SuperMESH Power MOSFET
STD3N40K3
意法-ST
N-channel 400 V, 2.7 Ohm typ., 2 A SuperMESH K3 Power MOSFET in a DPAK package
STD60NF3LL
德州仪器-TI
N-channel 30V - 0.0075Ω - 60A - DPAK STripFET™ II Power MOSFET
STD64N4F6AG
意法-ST
汽车级N沟道40 V、7 mOhm典型值、54 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装
STD10NM60N
意法-ST
N沟道600 V、0.53 Ohm典型值、10 A MDmesh II功率MOSFET，DPAK封装
STD6N80K5
意法-ST
N沟道800 V、1.3 Ohm典型值、4.5 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装
STD150N3LLH6
意法-ST
N-channel 30 V, 0.0024 Ohm, 80 A, DPAK Power MOSFET
STDP6036
意法-ST
Triple input LCD controller for WUXGA applications
STD3NK50ZT4
意法-ST
N沟道500 V、2.8 Ohm典型值、2.3 A SuperMESH功率MOSFET，DPAK封装
STD16NF06L
意法-ST
N-channel 60 V, 0.060 Ohm typ., 16 A STripFET II Power MOSFET in DPAK package
STD9NM50N
意法-ST
N沟道500 V、0.73 Ohm、5 A MDmesh(TM) II功率MOSFET，DPAK封装
STD11NM65N
意法-ST
N沟道650 V、0.425 Ohm典型值、11 A MDmesh(TM) II功率MOSFET，DPAK封装
STD2N62K3
意法-ST
N沟道620 V、3 Ohm典型值、2.2 A SuperMESH3(TM) 功率MOSFET，DPAK封装
STD7N60DM2
意法-ST
N沟道600 V、0.78 Ohm典型值、6 A MDmesh DM2功率MOSFET，DPAK封装
STD5N20L
意法-ST
N沟道200 V、0.65 Ohm、5 A STripFET(TM) 功率MOSFET，DPAK封装
STD12N60DM6
意法-ST
N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package
STD7N80K5
意法-ST
N沟道800 V、0.95 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装
STD4NK80Z-1
意法-ST
N沟道800 V、2.7 Ohm典型值、3 A SuperMESH功率MOSFET，IPAK封装
STD18N65M2-EP
意法-ST
N-channel 650 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
STD7ANM60N
意法-ST
N沟道600 V、5 A、0.84 Ohm典型值MDmesh(TM) II功率MOSFET，DPAK封装
STD18N55M5
意法-ST
N沟道550 V、0.150 Ohm典型值、16 A MDmesh M5功率MOSFET，DPAK封装
STD10NF10T4
意法-ST
N沟道100 V、0.115 Ohm典型值、13 A STripFET II功率MOSFET，DPAK封装
STD888
意法-ST
高电流高性能低压PNP晶体管
STD12N65M2
意法-ST
N沟道650 V、0.42 Ohm典型值、8 A MDmesh M2功率MOSFET，DPAK封装
STD12N50DM2
意法-ST
N沟道500 V、0.299 Ohm典型值、11 A MDmesh DM2功率MOSFET，DPAK封装
STDP7310
意法-ST
Single-chip enhanced premium monitor controller
STD03N
Allegro
达林顿晶体管音频放大器 (Darlington Transistors for Audio Amplifiers)
STD3N80K5
意法-ST
N沟道800 V、2.8 Ohm典型值、2.5 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装
STD6NK50Z
意法-ST
N-CHANNEL 500V - 0.93͐2;6; - 5.6A DPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET
STD15P6F6AG
意法-ST
汽车级P沟道-60 V、0.13 Ohm典型值、-10 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装
STD25NF10T4
意法-ST
N沟道100 V、0.033 Ohm典型值、25 A StripFET功率MOSFET，DPAK封装
STD7N52K3
意法-ST
N沟道525 V、0.72 Ohm、6 A SuperMESH3(TM) 功率MOSFET，DPAK封装
STD7NM80
意法-ST
N沟道800 V、0.95 Ohm、6.5 A MDmesh(TM) 功率MOSFET，DPAK封装
msg
msg
msg
msg
msg
msg
msg
msg
Покупка и запрос
Спецификация
Транспорт
техническая спецификация
ABLIC USA Inc. S-1132B33-I6T2U имеет аналогичные характеристики, свойства, параметры и детали, что и ABLIC USA Inc. S-1132B33-I6T2U.
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительNDK
РядNX3225SA
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс4-SMD, No Lead
Емкость нагрузки8pF
Размер / Размер0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Тип монтажаSurface Mount
ТипMHz Crystal
Рабочая Температура-40°C ~ 85°C
Стабильность частоты±25ppm
Допуск по частоте±15ppm
Рабочий режимFundamental
Высота - сидя (макс.)0.024" (0.60mm)
ESR (эквивалентное последовательное сопротивление)80 Ohms
Частота13 MHz

Стоимость доставки


Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторых странах может превышать 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т.д.)
Базовая стоимость доставки (посылка ≤0,5 кг или соответствующий объем) зависит от часового пояса и страны.


Способ рассылки


В настоящее время наша продукция доставляется через DHL, FedEx, SF и UPS.


срок поставки


После отправки товара расчетное время доставки зависит от выбранного вами способа доставки:

FedEx International, 5-7 рабочих дней.

Ниже приведены сроки доставки для некоторых распространенных стран.

transport

STDCQR1-13M Связанная информация
горячие продажи запчастей
Связанные категории