CGD65A130S2-T13 Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы_A BEST TRADE LIMITED_ИС_Хранилище_Встроенный процессор_Встроенный контроллер

CGD65A130S2-T13

номер части

CGD65A130S2-T13

Категории продукта

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

производитель

Cambridge GaN Devices

Тип

650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.

Упаковка

Лента и катушка (TR)

Статус ROHS

Yes

цена

USD $1.9920

техническая спецификация

количество

запрос цен

Спецификация

Транспорт

техническая спецификация

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	Cambridge GaN Devices
Ряд	ICeGaN™
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	16-PowerVDFN
Тип монтажа	Surface Mount
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	12A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	182mOhm @ 900mA, 12V
Особенность полевого транзистора	Current Sensing
Vgs(th) (Макс) @ Id	4.2V @ 4.2mA
Пакет устройств поставщика	16-DFN (8x8)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	12V
ВГС (Макс)	+20V, -1V
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	2.3 nC @ 12 V

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторых странах может превышать 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т.д.)
Базовая стоимость доставки (посылка ≤0,5 кг или соответствующий объем) зависит от часового пояса и страны.

Способ рассылки

В настоящее время наша продукция доставляется через DHL, FedEx, SF и UPS.

срок поставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от выбранного вами способа доставки:

FedEx International, 5-7 рабочих дней.

Ниже приведены сроки доставки для некоторых распространенных стран.

transport